主題:Stress Relaxation and Creep in Nanostructured Copper: Experiments and Simulations
時(shí)間: 2016年4月5日(星期二)上午10:00-11:30
地點(diǎn): 玉泉校區(qū)教5-333
報(bào)告人: 張統(tǒng)一院士
報(bào)告人簡介
張統(tǒng)一院士,上海大學(xué)材料基因組工程研究院院長、上海市材料基因組工程研究院院長、香港科技大學(xué)講座教授,材料科學(xué)、工程科學(xué)和固體力學(xué)專家。1985年獲北京科技大學(xué)材料物理專業(yè)博士學(xué)位并留校任教,1986-1988年以洪堡學(xué)者身份在德國哥廷根大學(xué)任研究員, 1988-1990年在美國羅徹斯特大學(xué)進(jìn)行博士后研究,1990-1993年在美國耶魯大學(xué)任副研究員,1993年應(yīng)邀至香港科技大學(xué)機(jī)械工程系任教。2011年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。
張?jiān)菏恐铝τ诓牧狭W(xué)性質(zhì)的研究。預(yù)測并證實(shí)了鋼鐵扭轉(zhuǎn)和剪切載荷下的氫脆現(xiàn)象。澄清了電絕緣裂紋面上電邊界條件,發(fā)展了壓電線性和非線性斷裂力學(xué);實(shí)驗(yàn)證明導(dǎo)電裂紋的電斷裂韌性為材料常數(shù),構(gòu)筑了電致斷裂的理論框架。發(fā)展了微觀/納觀力學(xué):建立了微/納橋測試?yán)碚摵头椒氨∧?/span>/基體系統(tǒng)中產(chǎn)生位錯(cuò)、微/納孿晶和裂紋的臨界厚度理論;給出了應(yīng)力腐蝕中裂紋、腐蝕膜和位錯(cuò)交互作用的理論解。曾獲國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)二次、香港裘槎高級(jí)研究學(xué)者獎(jiǎng)、美國ASM International Fellow獎(jiǎng)和中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)青年科技獎(jiǎng)。
報(bào)告摘要
In the present work, stress relaxation and creep tests, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and molecular dynamics (MD) simulations were conducted on coarse-grained (cg), nanograined (ng) and nanotwinned (nt) copper at temperatures ranging from room temperature to 75 °C. The comprehensive investigations provide sufficient information for the building-up of a formula that describes the time, stress, and temperature-dependent deformation and clarify the relationship among the strain rate sensitivity parameter, stress exponent and activation volume. The experimental and simulation results also suggest that under high stress level, dislocation-mediated plastic deformation is predominant in all cg, ng and nt specimens. Under low stress level, the grain boundary (GB) diffusion-associated deformation is dominant in the ng and cg specimens, whereas twin boundary (TB) migration, i.e., twinning and detwinning with parallel partial dislocations, governs the time, stress and temperature-dependent deformation in the nt specimens.


